Vishay推出汽车级80V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度

    器件采用欧翼引线结构PowerPAK?SO-8L小型封装具有业界出色FOM并获得AEC-Q101 

    宾夕法尼亚、MALVERN—2021年4月7日—日前，VishayIntertechnology，Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出通过AEC-Q101 、 先进的p沟道80VTrenchFET?MOSFET---SQJA81EP。新型VishaySiliconixSQJA81EP导通电阻达到80Vp沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13mmx6.15mmPowerPAK?SO-8L小型单体封装，10V条件下 导通电阻仅为17.3mW/典型值为14.3mW。

    日前发布的汽车级MOSFET导通电阻比 接近的DPAK封装竞品器件低28%，比前代解决方案低31%，占位面积减小50%，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。SQJA81EP10V条件下优异的栅极电荷仅为52nC，减少栅极驱动损耗，栅极电荷与导通电阻乘积，即用于功率转换应用的MOSFET优值系数（FOM）达到业界出色水平。

    器件可在+175°C高温下工作，满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和LED照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测（AOI）功能，消除机械应力，提高板级可靠性。

    器件80V额定电压满足12V、24V和48V系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度，从而减少需要并联的元器件数量，节省PCB空间。此外，作为p沟道器件，SQJA81EP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需的电荷泵。MOSFET采用无铅（Pb）封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100%Rg和UIS测试。

    SQJA81EP现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。